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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집 Vol.10, 2009 June 18, 2009년, pp.118 - 119
김상용 (한국 폴리텍 대학 청주캠퍼스 반도체시스템학과) , 정우양 (한국 폴리텍 대학 청주캠퍼스 반도체시스템학과) , 이근만 (청주대학교 전기전자공학부) , 김창일 (중앙대학교 전기전자공학부)
This paper presents the feature profile evolution silicon deep trench etching, which is very crucial for the commercial wafer process application. The silicon deep trenches were etched with the SF6 gas & Hbr gas based process recipe. The optimized silicon deep trench process resulted in vertical pro...
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