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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집 Vol.10, 2009 June 18, 2009년, pp.63 - 63
Choi, Chang-Yong (Kwangwoon Univ.) , Kang, Min-Suk (Kwangwoon Univ.) , Bang, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) , Kim, Sang-Chul (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) , Kim, Nam-Kyun (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) , Koo, Sang-Mo (Kwangwoon Univ.)
In this work, we demonstrate 800V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to observe static DC characteristics, such as a threshold voltage (
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