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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.8, 2009년, pp.637 - 640
최창용 (광운대학교 전자재료공학과) , 강민석 (광운대학교 전자재료공학과) , 방욱 (한국전기연구원 에너지반도체 연구센터) , 김상철 (한국전기연구원 에너지반도체 연구센터) , 김남균 (한국전기연구원 에너지반도체 연구센터) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
In this work, we demonstrate 800 V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to obtain a low threshold voltage (
C. E. Weitzel, J. W. Palmour, C. H. Carter, Jr. K. Moore, K. J. Nordquist, S. Allen, C. Thero, and M. Bhatnagar, 'Silicon carbide high-power devices', IEEE Trans. on Elec. Dev., Vol. 43, No. 10, p. 1732, 1996
D. Alok, E. Arnold, R. Egloff, J. Barone, J. Murphy, R. Conrad, and Burke, '4H-SiC RF power MOSFETs', IEEE Elec. Dev. Lett., Vol. 22, No. 12, p. 577, 2001
J. Zhang, B. Zhang, and Z. Li, 'Simulation of high-power 4H-SiC MESFETs with 3D tri-gate structure', IEEE Electronic Lett., Vol. 43, No. 12, p. 692, 2007
R. Singh, D. C. Capell, A. R. Hefner, J. Lai, and J. W. Palmour, 'High-power 4H-SiC JBS rectifiers', IEEE Trans. on Elec. Dev., Vol. 49, No. 11, p. 2054, 2002
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