$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Gate Insulator 두께 가변에 따른 TFT소자의 전기적 특성 비교분석 원문보기

한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집 Vol.22, 2009 Nov. 12, 2009년, pp.39 - 39  

김기용 (성균관대학교 정보통신공학부) ,  조재현 (성균관대학교 정보통신공학부) ,  이준신 (성균관대학교 정보통신공학부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We fabricated p-channel TFTs based on poly Silicon. The 35nm thickness silicon dioxide layer structure got higher $I_{on}/I_{off}$ ratio, field-effect Mobility and output current than 10nm thickness. And 35nm layer showed low leakage current and threshold voltage. So, 35nm thickness silic...

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 실리콘 질화물은 실리콘 이산화물보다 높은 유전 상수(SiO2 : 39 Si3N4)W 가진다. 그래서 실리콘 질화물을 실리콘 이산화물과 같이 듀얼모드로 게이트 절연막을 형성하고자 한다.
  • 본 연구에서는 NO구조의 실리콘 다층 절연막을 가진 TFT 소자에서 Blocking 박막인 SiO2 절연막의 두께豊 달리 하여 전기적 톡성을 비교하였다. 그림 2・(a)와 표 1에서와 같이 SiO2 절연막의 두께가 lOnm일 패보다 35nm일 패 점멸 비와 이동 도에서 우수한 결과를 보여 반응속도가 빠르게 되며, 낮은 문턱전압과 누설전류로 전력소모를 낮추게 된다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로