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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.5, 2013년, pp.351 - 354
이상렬 (청주대학교 반도체공학과)
Thin-film transistors(TFTs) with silicon-zinc-tin-oxide(SiZnSnO, SZTO) channel layer are fabricated by rf sputtering method. Electrical properties were changed by different annealing treatment of dry annealing and wet annealing. This procedure improves electrical property especially, stability of ox...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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산화아연 기반의 박막트랜지스터가 차세대 디스플레이로서 주목 받고 있는 이유는? | 높은 이동도와 상온안정성의 장점으로 인해 산화아연 기반의 박막트랜지스터가 차세대 디스플레이로서 주목을 받고 있다. 3D, flexible 디스플레이가 각광받는 시대에 소자의 전기적 특성 특히 안정성에 대해서 많은 연구가 이루어지고 있다. | |
산화물반도체가 a-Si에 비해 나은점은? | 이에 기존의 a-Si TFT 는 안정성, 제조단가 면에서는 좋으나, 소자의 이동도가 낮아 3D 화면구현 시 많은 제약이 있었다. 산화물반도체는 a-Si에 비해 높은 이동도를 가지며, 투명도, 소자안정성이 우수해 차세대 소자로써 기대를 받고 있다. 따라서 기존의 비정질 실리콘 (a-Si) TFT를 대체하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. | |
3D, flexible 디스플레이가 각광 받음에 따라 어떠한 특성을 가진 트랜지스터가 요구되는가? | 3D, flexible 디스플레이가 각광받는 시대에 소자의 전기적 특성 특히 안정성에 대해서 많은 연구가 이루어지고 있다. 이러한 시대의 요구에 따라 고품질의 3D 디스플레이를 구현하기 위해서는 높은 이동도 (mobility)와 높은 안정성 (stability)을 가진 박막트랜지스터를 요구한다. 이에 기존의 a-Si TFT 는 안정성, 제조단가 면에서는 좋으나, 소자의 이동도가 낮아 3D 화면구현 시 많은 제약이 있었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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