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제안 방법
- 이후 열처리 시간을 24, 48, 72시간으로 달리하여 처리하였고 톨루엔에 123, 4분간 침지시켜 표면처리 후 뭃 방울 접촉각 테스트한 결과 각 시 갼에 대하여 2분 정도 침지시킨 샘플이 평균 73°의 뭏 방우 접촉각의 최적 조건을 보잉을 알아내었다. 이후 각 샘픓에 疊루엔에 2, 5wt%로 녹인 PS-b-PMMA 最락 공중합체 豊 스핀 코팅하고 다시 열처리詈 24, 48, 72시간 진행하여 각 공정 조건에 따른 최적 패턴 형태를 주사 전자현미경(SEM)으로 확인하였다. SEM 이미지 확인 결과 PS-b-PMMA 불락 공중합체의 열처리 시간이 24시간 인 패턴 모두 패턴의 형태가 불규칙적이고 생성된 PMMA 패턴 역시 명확한 eylind쟈「구조를 띄지 않았다.
대상 데이터
- 사용된 기판은 상 변화 메모리 소자의 하早 전극으로 사용되는 TiN을 샤용하여 PS-b-PMMA (P2400-SMMA Mnx103 46」나)-21.0, Polymersource hie.)블락 공중합체의 cyHndei형태의 균일한 패텬을 얻고자 하였다.
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