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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11, 2010 June 16, 2010년, pp.4 - 4
서동규 (성균관대학교) , 공보현 (성균관대학교) , 조형균 (성균관대학교)
Single-crystalline IGZO (Indium-Gallium-Zinc oxide) was fabricated on c-sapphire substrate. Single crystal ZnO was used as a buffer layer, and post-annealing was treated in
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