[논문]p-InGaN/GaN 초격자구조에서 열처리 조건에 따른 오믹전극의 특성

장선호; 김세민; 이영웅; 이영석; 이종선; 박민정; 박일규; 장자순

p-InGaN/GaN 초격자구조에서 열처리 조건에 따른 오믹전극의 특성
Characteristics of p-InGaN/GaN Superlattice structure of the p-GaN according to annealing conditions 원문보기

장선호 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 김세민 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 이영웅 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 이영석 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 이종선 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 박민정 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 박일규 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터) , 장자순 (영남대학교 & LED-IT 융합산업화연구센터)

In this work, we investigate ohmic contacts to p-type GaN using a Pt/Cu/Au metallization scheme in order to achieve low resistance and thermally stable ohmic contact on p-GaN. An ohmic contact formed by a metal electrode deposited on a highly doped InGaN/GaN superlattice sturucture on p-GaN layer. The specific contact resistance is $1.56{\times}10^{-6}{\Omega}cm^2$ for the as-deposited sample, $1.35{\times}10^{-4}{\Omega}cm^2$ for the sample annealed at $250^{\circ}C$ and $6.88{\times}10^{-3}{\Omega}cm^2$ for the sample annealed at $300^{\circ}C$.

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문제 정의

필수적인 연구이다. 이번 연구에서는 p-bonding pad와 직접 contact되어있는 p-GaN 기반 층에서의 아血ic contact의 열처리에 따른 비접촉저항의 특성을 살펴보고 나아가 丕격자층의 구조疊 갖는 /Mn/GaN/GaN에서의 저저항의 특성읋 갖는 오믹전궉 튝성에 대하여 살펴보고자 하였다.

제안 방법

오믹 메탈로는 Pt/Cu/Au (200/300/2000A)로 e-beam evaporator흘 이용하여 증착하였다. 각각 셈픍은 25545(TC의 범위내서 N₂ 분위기에서 RTA를 이옹하여 열처리 하였다. 실험결과는 열처리 전 샘플과 열처리 샘플 모두 linear 한 bV 특성을 나타내었고, 오익저항 黑성몰 살펴보기 위하여 比 = 시m(n/Q + 4(l/R+1/时]을이용하여 Pc = 의 관계식에 따라서 각각의 결과값을 계산하였다.

대상 데이터

50 um로 하였다. 오믹 메탈로는 Pt/Cu/Au (200/300/2000A)로 e-beam evaporator흘 이용하여 증착하였다. 각각 셈픍은 25545(TC의 범위내서 N₂ 분위기에서 RTA를 이옹하여 열처리 하였다.

데이터처리

각각 셈픍은 25545(TC의 범위내서 N₂ 분위기에서 RTA를 이옹하여 열처리 하였다. 실험결과는 열처리 전 샘플과 열처리 샘플 모두 linear 한 bV 특성을 나타내었고, 오익저항 黑성몰 살펴보기 위하여 比 = 시m(n/Q + 4(l/R+1/时]을이용하여 Pc = 의 관계식에 따라서 각각의 결과값을 계산하였다. 이패 Rsc는 specific contat resistance, 职는 toral resistance L*는 transfer leng버 를 각각 나타낸다.

성능/효과

이패 Rsh와 Lt 모두 열처리를 하면서 점점 줄어드는 결과를 나타내었다. 열처리 전의 샘플이 열처리한 샘플보다 열적으로 낮은 비접촉저항을 갖는 오믹전극의 특성을 나타내었다.
39 x 10s Qcrf를 얻었다. 이런한 결과와는 반대로 열처리를 하였을 때 250 笆에서 Rsc 는 1.35 X lOeQcrf , 300t:에서 Rsc 는 6.83 x lO'3Qcif, 350P에서 Rsc는 4.17x lO'ecnf , 45(TC에서 Rsc는 3.9 x lOeScrf 로 열처리 온도가 증가함에 따라 비접촉저항의 값은 점점 커지는 결과를 얻었다. 이패 Rsh와 Lt 모두 열처리를 하면서 점점 줄어드는 결과를 나타내었다.
9 x lOeScrf 로 열처리 온도가 증가함에 따라 비접촉저항의 값은 점점 커지는 결과를 얻었다. 이패 Rsh와 Lt 모두 열처리를 하면서 점점 줄어드는 결과를 나타내었다. 열처리 전의 샘플이 열처리한 샘플보다 열적으로 낮은 비접촉저항을 갖는 오믹전극의 특성을 나타내었다.

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