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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광운대학교 Kwangwoon University |
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연구책임자 | 문동찬 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1997-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 광운대학교 Kwangwoon University |
등록번호 | TRKO200200020561 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | GaN 박막.HVPE.이중결정 X선 회절.홀효과.광루미네센스.GaN thin film.HVPE.Double Crystal Rocking Curve(DCRC).Hall effect.Photoluminescence. |
단파장(근 자외선)영역에서 직접전이형 에너지 갭을 갖는 Ⅲ-Ⅴ족질화물 반도체인 GaN를 직접제작한 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법으로 GaN박막성장 전에 1050℃의 온도에서 Al2O3기판을 질화시켰으며, GaN 박막 성장률은 성장 온도가증가함에 따라 증가하였고, 950℃에서 1050℃까지의 온도 범위에서 Al2O3(11·0)와Al2O3(00·1)기판 위에 성장한 GaN 박막의 활성화 에너지는 1.1eV와 0.74eV이었다.최적의 성장온도 1050℃에서 표면상태가 양호한 GaN박막을 얻었
The Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor GaN films which have thedirect bandgap in shortwavelength (near ultraviolet) region were grown using thehydride vapor phase epitaxy(HVPE) method on Al2O3(11·0) and Al2O3(00·1)substrates. Before growing the GaN layer, We first nitrided the Al2O3 s
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