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RF-Magnetron Sputtering법을 이용한 IGZO박막의 기판온도에 따른 특성분석
IGZO Films Using RF-Magnetron Sputtering Method of Analysis of the substrate temperature 원문보기

한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11, 2010 June 16, 2010년, pp.135 - 135  

김미선 (대구가톨릭대학교) ,  김동영 (대구가톨릭대학교) ,  배강 (대구가톨릭대학교) ,  손선영 (대구가톨릭대학교) ,  김화민 (대구가톨릭대학교)

초록
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본 연구에서는 ZnO를 기반으로 하여 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$를 혼합한 IGZO 박막의 물성들을 분석하였다. 광학적 특성 결과 가시광 영역에서 모두 80%이상의 투과율을 나타내었으며, 전기적 특성을 조사한 결과 $In_2O_3:Ga_2O_3$:ZnO (1:9:90 wt.%)의 IGZO박막에서 $1.90{\times}10^{-3}\;\Omega/cm$의 비저항을 확인 할 수 있었다. 또한 상온에서 $400^{\circ}C$로 기판온도에 변화를 주어 실험하였으며, 결정성을 분석하기 위하여 XRD (PANALYTICAL CO.)를 사용하였고, SEM (JEOL CO.) 을 이용하여 IGZO박막의 미세 구조를 확인하였다. UV-ViS spectrophotometer (SHIMADZU CO.) 을 사용하여 광학적 특성을 측정하였으며, Hall effect측정 장비를 이용하여 캐리어 농도 및 Hall이동도 변화에 따른 비저항을 비교 분석하였다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • 90 x 10'3Q/cm 의 비저항 값을 나타내었다. 또한 IGZO (1:9:90 wt.%)박막의 기판 온도에 따른 열처리 특성을 확인하기 위하여 상온에서 400也로 변화를 주어 실험하였다. 광학적 특성을 알아 보기위하여 박막의 뚜과도를 축정한 결과 가시 광 영역에서 모두 80%이상의 투과율을 나타내었다.
  • 몬 실험에서는 RF Magnetron Sputtering법을 이용하여 이ass기판 위에 3족 불순물인 心。3 와 Ga?。?를 도핑한 ZnO (IGZO) 박막을 분석하였다. 3 결과 ln2O3:Ga2O3:ZnO (1:9:90 wt.
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