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[국내논문] 다양한 RF Power로 제작한 비정질 IGZO TFTs의 특성 연구
TFTs characteristics of amorphous IGZO thin film fabricated with different RF Power 원문보기

한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집, 2014 Nov. 20, 2014년, pp.254 - 255  

정연후 (경북대학교 전자재료공학과) ,  조광민 (경북대학교 전자재료공학과) ,  김세윤 (경북대학교 전자재료공학과) ,  김정주 (경북대학교 전자재료공학과) ,  이준형 (경북대학교 전자재료공학과) ,  허영우 (경북대학교 전자재료공학과)

초록
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RF magnetron sputtering법으로 증착한 비정질 IGZO 박막과 이를 Active layer로 이용한 TFT의 Transfer 특성에 대한 RF Power의 영향에 대해 연구하였다. Carrier concentration은 Sputtering 공정 중에 산소 분압으로 조절하였다. RF Power가 75에서 150W로 증가할수록 IGZO 박막의 Roughness는 12.2에서 $6.5{\AA}$ 감소하였고 Density는 6.0에서 $6.1g/cm^3$로 증가하였다. 또한, 모든 IGZO 박막은 가시광 영역에서 85% 이상의 투과율을 보였고 Optical band gap은 미세하게 감소하였다. RF Power가 증가할수록 a-IGZO TFT의 Threshold voltage는 0.9에서 7V로 증가하였고, Subthreshold slope은 0.3에서 0.8 V/decade로 증가하였다. 하지만 Mobility는 11에서 $19cm^2/V{\cdot}s$로 증가하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 특히, 대면적 및 고해상도 측면에서 TFTs의 channel layer로 사용되는 산화물 반도체의 고이동도가 요구되고 있고 이를 위한 많은 연구가 진행 중이다. 본 연구에서는 높은 이동도를 나타낸다고 보고되는 비정질 IGZO를 RF magnetron sputtering 방법을 이용하여 RT에서 증착하였으며, RF Power에 따른 박막의 구조 및 전기적 특성을 연구하였다.
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