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제안 방법
- SiO2, TiO2 각각 8개의 sample을 Ellipsometer 를 활용하여 refractive-index와 growth-rate를 확인 하였다. 광통신용으로의 활용을 고려하여 130 0~1700nm 파장에서 측정하였다.
- 각 조건에 따라 굴절률이 낮게 나온 것과 높게 나온 것을 가지고 성장 모습과 표면상태를 AFM 으로 확언하였다. 그 결과 SiO2-7과 TiO2-7의 sample이 비교적 안정된 성장을 보여서 다시 이두 samle을 가지고 SEM으로 단면을 측정하였다.
- 하였다. 광통신용으로의 활용을 고려하여 130 0~1700nm 파장에서 측정하였다.
- 광학 박막은 저굴절률과 고굴절률 소재를 단층 또는 다층으로 쌓아서 코팅을 하게 되는데 본 연구에서는 저굴절률 박막에 혼히 쓰이고 있는 SiO2 와 고굴절률 박막에 많이 활용되는 TiCh를 가지고 Sputtering System을 사용하여 각 물질에 대한 박막 조건을 찾는데 심혈을 기울였다.
- 확언하였다. 그 결과 SiO2-7과 TiO2-7의 sample이 비교적 안정된 성장을 보여서 다시 이두 samle을 가지고 SEM으로 단면을 측정하였다.
- 기본진공은 8.5 X1(尸 이하의 상태로 만들었고 Gas(ArQ) 량의 비율을 조절하였으며 RF Power도 변화를 주어서 실험하였다. 그리고 Oxide 물질을 증착하기 때문에 안정된 증착 분위기를 위해。2를 l.
대상 데이터
- 그리고 증착을 하기 위한 기판은 P-type Si(100) 을 사용하였다.
- 본 실험에서 사용된 진공장비는 DC压F Magnetron Sputter로 저진공은 Rotary Pump, 고진공은 Cryopump 로 진공을 만드는 장치가 구성이 되어 있고 실험물질이 SiOs와 TiG이므로 전원은 RF Power를 썼다. 그리고 증착을 하기 위한 기판은 P-type Si(100) 을 사용하였다.
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