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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1, 2001 Nov. 08, 2001년, pp.230 - 233
이우선 (조선대학교 전기공학과) , 김형곤 (조선이공대학 전기공학과) , 김남오 (조선이공대학 전기공학과) , 정헌상 (조선대학교 전기공학과)
FeSi2/Si Layer were grown using FeSi2, Si wafer by the chemical transport reactio nmethod. The directoptical energy gap was found to be 0.871eV at 300 K. The Hall effect is a physical effect arising in matter carrying electric current inthe presence of a magnetic field. The effect is named after the...
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