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ITO 패턴의 식각 조건에 따른 OLED 특성에 관한 연구
A Study on OLED Characteristics according to etching conditions of ITO Pattern 원문보기

한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자, 2006 Apr. 28, 2006년, pp.49 - 51  

이의식 (순천향대학교) ,  이병욱 (순천향대학교) ,  이태성 (순천향대학교) ,  이근우 (순천향대학교) ,  이종하 (순천향대학교) ,  문순권 (순천향대학교) ,  홍진수 (순천향대학교) ,  김창교 (순천향대학교)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

OLEOs was fabricated by PLD method. Wet etching process and plasma treatment of ITO on the glass were performed to extend the lifetime of the OLED and increase its brightness. The NPB, $Alq_3$, Li-Benzoate and AI layers on ITO pattern on the glass were deposited by PLO method, sequentiall...

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

제안 방법

  • 2/fln 두께의 보호막층을 구현햔 후 ITO 식각용액(HCl:HNCh:DI니0:2:5)에서 식각시간을 6, 7, 8분으로 변경시키면서 패턴을 제작하였다. 1TO 패터닝이 끝난 후 남아있는 PR의 제거를 위해 습식/건식 세정하였다. R1E를 이용하여 건식 세정 공정을 수행하였다.
  • R1E를 이용하여 건식 세정 공정을 수행하였다. Ar과 6 플라즈마를 이용하였고 RF 파워가 25, 50, 100W인 조건에서 25sccm의 유량으로 5분간 실시하였다. 아래의 표 1은 ITO 박막의 습식식각 조건과 식각조건에 따른 표면 거칠기 값을 나타내었다.
  • ITO의 식각과 플라즈마 처리를 하기 전 ITO의 세정으로 아체톤, 메탄올, 에탄올, 증류수의 순으로 초음파 세척기를 이용하여 각각 5분씩 세정 처리 하였다. ITO 박막의 패턴을 위해 습식 식각을 실시하였으며, 보호막 층으로는 positive PR AZ1512을 사용하여 1.2/fln 두께의 보호막층을 구현햔 후 ITO 식각용액(HCl:HNCh:DI니0:2:5)에서 식각시간을 6, 7, 8분으로 변경시키면서 패턴을 제작하였다. 1TO 패터닝이 끝난 후 남아있는 PR의 제거를 위해 습식/건식 세정하였다.
  • 면 저항은 20Q/□인 기판을 사용하였다. ITO의 식각과 플라즈마 처리를 하기 전 ITO의 세정으로 아체톤, 메탄올, 에탄올, 증류수의 순으로 초음파 세척기를 이용하여 각각 5분씩 세정 처리 하였다. ITO 박막의 패턴을 위해 습식 식각을 실시하였으며, 보호막 층으로는 positive PR AZ1512을 사용하여 1.
  • PLD법을 이용하여 OLED 디바이스를 제작하기 위한 최적의 증착 조건을 확인하였다. PLD 증착을 위한 문턱 전압 (thre아!。Id voltage)을 구하기 우해 증착 시간을 고정시키고 원하는 플루언스 값을 얻었다.
  • 1TO 패터닝이 끝난 후 남아있는 PR의 제거를 위해 습식/건식 세정하였다. R1E를 이용하여 건식 세정 공정을 수행하였다. Ar과 6 플라즈마를 이용하였고 RF 파워가 25, 50, 100W인 조건에서 25sccm의 유량으로 5분간 실시하였다.
  • 디바이스의 특성을 분석하였다. 디바이스 특성을 분석하여서 ITO의 최적의 식각 조건과 플라즈마 공정 조건을 확보하였다. 디바이스의 휘도와 전류밀모를 조사한 결과는 ITO 식각후에 Oz 플라즈마 처리시에 디바이스 휘도가 4, 73阮也招에서 7, 37牝跖/로 향상되었다.
  • 그러므로 OLED 성능 향상과 수명연쟝을 위해 ITO의 표면개선이 필요하다. 본 연구에서는 ITO 박막의 최적식각 조건을 확립하였고, 또한 최적화된 식각 조건으로 제작된 박막을 ArM O2 플라즈마 처리를 해서 비교 분석하였다.
  • 본 연구에서는 1T。의 식각 조건과 플라즈마 처리 조건에 따른 디바이스의 특성을 분석하였다. 디바이스 특성을 분석하여서 ITO의 최적의 식각 조건과 플라즈마 공정 조건을 확보하였다.
  • 얻어진 플루언스 값을 고정시키고 시간을 변화시켜서 펄스 당 증착 두께값을 얻었다. 재현성 테스트를 진행한 후 최적의 증착 조건을 두께별로 NPE/AkWLi-Benzoate를 40/60/2nm 비昌로 증착하였다. 아래 의표 2는 OLED 디바이스 제작을 위한 증착 조건을 나타내고 있다.

대상 데이터

  • 실험에서 사용되는 OLED 제작 디바이스 기판은 1mm 두께의 유리기판위에 두께 1000A으로 증착 된 ITO 박막으로, 면 저항은 20Q/□인 기판을 사용하였다. ITO의 식각과 플라즈마 처리를 하기 전 ITO의 세정으로 아체톤, 메탄올, 에탄올, 증류수의 순으로 초음파 세척기를 이용하여 각각 5분씩 세정 처리 하였다.
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