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실리콘 산화막의 두께에 따른 ALD $Al_2O_3$ 박막의 passivation 효과
Passivation Quality of ALD $Al_2O_3$ Thin Film via Silicon Oxide Interfacial Layer for Crystalline Silicon Solar Cells 원문보기

한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집, 2009 June 25, 2009년, pp.93 - 93  

김영도 (고려대학교 신소재공학부) ,  박성은 (고려대학교 신소재공학부) ,  탁성주 (고려대학교 신소재공학부) ,  강민구 (고려대학교 신소재공학부) ,  권순우 (고려대학교 신소재공학부) ,  윤세왕 ,  김동환

초록
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실리콘 태양전지의 효율 향상을 위한 노력의 일환으로 결정질 실리콘 웨이퍼 표면passivation 물질 중 Atomic Layer Deposition (ALD)을 이용하여 증착한 $Al_2O_3$ 박막에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 $Al_2O_3$ 박막의 증착 전 실리콘 웨이퍼의 산화막 두께에 따른 passivation 효과에 대해서 연구하였다. 실리콘 산화막은 $HNO_3$ 용액을 사용하여 화학적으로 생성시켰으며 $HNO_3$ 용액과의 반응 시간을 조절하여 실리콘 산화막의 두께를 조절하였다. 실리콘 산화막 생성 후 ALD로 $Al_2O_3$ 박막을 증착하였으며 증착 후 $N_2$ 분위기에서 annealing 하였다. Annealing 후 passivation 효과는 Quasi-Steady-State Photo Conductance를 사용하여 minority carrier의 lifetime을 측정하였다. Capacitance-Voltage measurement, Transmission Electron Microscopy, Ellipsometry를 사용하여 실리콘 산화막의 두께에 따른 $Al_2O_3$ 박막의 passivation 효과를 분석하였다.

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