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GaN 전자소자 기술 연구개발 동향: 미국과 유럽을 중심으로 원문보기

한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집, 2010 Aug. 18, 2010년, pp.148 - 148  

문재경 (융합부품소재연구소, 한국전자통신연구원) ,  임종원 (융합부품소재연구소, 한국전자통신연구원) ,  안호균 (융합부품소재연구소, 한국전자통신연구원) ,  장우진 (융합부품소재연구소, 한국전자통신연구원) ,  김해천 (융합부품소재연구소, 한국전자통신연구원) ,  남은수 (융합부품소재연구소, 한국전자통신연구원) ,  박형무

초록
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GaN와 SiC 반도체는 band gap이 넓고 주파수 특성이 우수하여 미국, 유럽, 일본등 선진국에서는 기존의 GaAs나 InP에 이어 차세대 화합물 반도체 플랫폼(next generation compound semiconductor platform)으로서 연구개발 테마로 각광을 받고 있다. 미국의 경우 잘 알려진 국가 대형프로젝트인 WBGS-RF program (2003~2010, 7년)의 종료와 함께 새로운 NEXT program(2009~2014, 5년)을 지난 해 시작하였으며, 유럽은 KORRIGAN program (2005~2009, 5년)에서 연구개발된 기술에 대하여 후속인 MANGA program (2010~2014, 3.5년)을 통하여 GaN 반도체의 양산체제 구축을 위한 대형 연방 프로젝트를 시작하였다. 따라서 본 논문발표에서는 지난 10년 동안 그리고 향후 5년간 2014년까지 미국 국방성과 유럽연방 국방성에서 지원하고 있는 대형 국가 프로젝트인 GaN 전자소자 연구개발 프로그램과 연구개발 동향 분석을 통하여 대한민국이 나아가야 할 차세대 화합물 반도체 플랫폼인 GaN 전자소자의 연구개발 방향을 제시하고자 한다.

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