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NTIS 바로가기Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 2009. ASMC `09. IEEE/SEMI, 2009 May, 2009년, pp.33 - 37
Ruhl, G. (Infineon Technol. AG, Regensburg, Germany) , Krenzer, M. (Infineon Technol. AG, Regensburg, Germany) , Batke, J.-M. (Infineon Technol. AG, Regensburg, Germany)
Current high-aspect ratio devices require deposition processes for conducting barrier and electrode films in vias and trenches with increasingly high aspect ratios. In this work we studied the extension of a CVD-TiN process based on the thermal deposition from TDEAT and NH3 in combination with subse...
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