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RF 스퍼터링 방법에 의한 AZO 투명전극용 박막에 대한 연구 원문보기

한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회, 2011 Oct. 26, 2011년, pp.886 - 887  

오데레사 (청주대학교 반도체설계공학과)

초록
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투명전극을 제작하기 위해서 SiOC 절연막 위에 AZO박막을 증착하였다. AZO 박막은 rf power가 5~200W인 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의해서 제작되었다. SiOC 박막은 산소와 DMDMOS 전구체의 유량비를 다르게 하여 플라즈마 발생 화학적 기상 증착방법으로 증착되었다. 증착된 SiOC박막은 UV visible spectroscopy에 의해서 분석하였다. 투명전극의 비저항은 rf 전력이 작을 수록 낮았으며, SiOC 절연막 위에 AZO를 증착시킨 후 반사률은 반대로 바뀌는 것을 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

To obtain a transparent electrode, AZO thin film was deposited on SiOC film with various flow rates by rf magnetron sputtering system. SiOC film was deposited with various DMDMOS/O2 flow rate ratio by CVD, The optical electrical properties of the SiOC film and SiOC/AZO were analyzed by the uv visibl...

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

제안 방법

  • AZO 박막을 제조하기 위하여 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 박막을 성장시켰으며, 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다.
  • SiOC/AZO 박막을 제작하여 광학적 전기적 특성을 조사하였다. SiOC 박막의 반사도와 SiOC/AZO 박막의 반사도는 서로 반대로 나타났다.
  • 그림 3. 샘플 5에의 AZO 증착 전후의 반사도 비교.

대상 데이터

  • 기판으로는 n type Si기판위에 CVD 방법으로 170nm 두께의 SiOC 박막 위에 AZO 박막을 증착하여 시편을 준비하였다. AZO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의해서 제작되었으며, 지름이 2 inch인 AZO(Zn:98 wt.%, Al:2wt.%) 타겟을 사용하였다. 가스압력은 5 mTorr로 고정하고 5-200 W의 방전 전력 범위에서 20 분동안 증착하여 AZO 박막을 얻었다.
  • 기판으로는 n type Si기판위에 CVD 방법으로 170nm 두께의 SiOC 박막 위에 AZO 박막을 증착하여 시편을 준비하였다. AZO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의해서 제작되었으며, 지름이 2 inch인 AZO(Zn:98 wt.
  • SiOC박막은 플라즈마를 이용한 화학적 기상증착 방법에 의해서 증착되었다. 증착시 RF파워는 13.56Mhz에서 450W이고 DMDMOS 프리커서와 산소의 혼합 개스에 의한 플라즈마를 유도하고 이온화된 원자들의 재결합이 이루어지면서 박막을 증착하였다.
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