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PC1D를 이용한 실리콘 태양전지의 도핑농도에 따른 IV 특성곡선 및 효율 분석
Analysis of the Silicon Solar cell According to the doping concentration IV characteristic curve and efficiency process using PC1D Tool 원문보기

한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회, 2010 May 27, 2010년, pp.792 - 794  

이병로 (군산대학교 전자정보공학부) ,  한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ,  정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ,  정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ,  이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ,  권오신 (군산대학교 전자정보공학부)

초록
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본 연구는 PC1D를 이용하여 태양전지 전류전압 특성곡선및 효율을 분석한 연구이다. 태양전지 전류전압 특성곡선에서 제4상한부분의 면적은 태양전지의 효율을 나타낸다. 곡선인자(Fill Factor)는 개방전압단락 전류의 곱에 대한 최대 출력전압과 최대 출력전류의 곱한 값의 비율이다. 본 논문은 태양전지의 최대 효율을 얻기 위해서 도핑 농도를 $1{\times}10^{14}cm^{-3}$부터 $1{\times}10^{17}cm^{-3}$까지 변화시키면서 태양전지의 전류전압 특성곡선 및 최대효율을 분석하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 실리콘태양전지 효율을 높이기 위한 방법으로 실리콘태양전지의 도핑농도를 결정하여 태양전지의 최대효율 변화와 도핑농도에 따른 전류-전압특성곡선 및 효율을 비교분석하였다. 도핑농도가 1 × 1014cm-3일때의 효율이 가장 낮고, 1 × 1017cm-3일때 효율이 가장 높음을 알 수 있다.
  • 따라서 현재는 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 또 다른 태양전지의 재료개발 및 구조의 연구가 필요한 상황이다. 본 논문에서는 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 방법 중의 하나인 도핑농도의 변화에 따른 태양전지의 효율을 분석하고 또 이의 전류-전압특성곡선을 분석하고자 한다. 2장에서는 이론적 배경을 3장에서는 시뮬레이션 방법과 결과를 고찰하고 4장에서는 결론을 맺을 것이다.
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