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Pulsed Laser Deposition 법을 이용한 ZnO 박막의 제작 및 특성 분석 원문보기

한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집, 2012 Feb. 08, 2012년, pp.379 - 379  

정의완 (동국대학교 반도체과학과) ,  이영민 (동국대학교 반도체과학과) ,  이진용 (동국대학교 반도체과학과) ,  이초은 (동국대학교 반도체과학과) ,  심은희 (동국대학교 반도체과학과) ,  강명기 (동국대학교 반도체과학과) ,  허성은 (동국대학교 반도체과학과) ,  홍승수 (동국대학교 반도체과학과) ,  노가현 (동국대학교 반도체과학과) ,  김두수 (동국대학교 반도체과학과) ,  김득영 (동국대학교 반도체과학과)

초록
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본 연구에서는 고품질의 ZnO 박막을 제작하기 위해 사파이어 기판 위에 ZnO 박막을 Pulsed Laser Deposition (PLD) 법으로 성장하였다. 레이저 에너지 밀도와 펄스주파수를 고정시켰으며, 성장온도와 산소 분압은 각각 $450{\sim}600^{\circ}C$ 및 5~20 sccm으로 변화를 주어 성장 온도와 산소 분압이 박막 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 제작된 박막의 전기적 특성을 측정한 결과 성장온도의 증가에 따라 캐리어 농도는 $9.18{\times}10^{18}cm^{-3}$에서 $3.9{\times}10^{16}cm^{-3}$까지 감소하였고, 캐리어 이동도는 $0.95cm^2/Vs$에서 $8.47cm^2/Vs$ 까지 증가하는 경향을 나타내었으며, 산소분압의 변화에는 특정 임계조건을 갖는 것을 확인하였다. 이러한 이유는 PLD 법 성장 메커니즘에서 플라즈마 플럼(plasma flume) 내에 결합된 ZnO 분자가 기판으로 직접 성장이 이루어지는 과정에서 성장 온도가 증가함에 따라 플럼 내에서 결합 된 ZnO 분자의 열적 안정성이 향상되었으며, 유입되는 산소량의 감소로 인해 원자들의 표면 확산 거리 및 확산 시간이 길어져 보다 안정적인 박막 형성에 기인한 것으로 보인다.

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