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RF 스퍼터링과 전자빔 후처리를 이용한 IGZO 기반의 산화물 TFT 소자 제조 공정 원문보기

한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집, 2015 Aug. 24, 2015년, pp.217.1 - 217.1  

윤영준 (한국세라믹기술원) ,  구현호 (한국세라믹기술원) ,  이학민 ((주)인포비온) ,  오종석 ((주)인포비온) ,  김용환 ((주)인포비온)

초록
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본 연구에서는 차세대 투명소자의 기본 요구사항인 투명 산화물 TFT를 제조하는데 가장 유망한 재료인 IGZO (Indium-Gallium-Zinc oxide) 박막의 구동 안정성과 신뢰성을 높이기 위한 후처리 기술을 제시하고자 한다. 이는 기존의 400도 이상의 고온 후열처리 공정을 대체할 수 있는 기술로써, IGZO 박막의 스퍼터링 공정 후에 동일 챔버에서 전자빔 조사를 통해 수분 이하의 고속 후처리를 진행함으로써 가능하다. 본 발표에서는 전자빔 후처리 공정을 통해 얻어지는 IGZO 기반의 TFT 소자 물성에 대해서 소개가 이루어질 것이다.

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