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문제 정의
- 본 연구에서는 MoS2 단일 층 구조에 단축 스트레인을 주어 Mo 원자와 S 원자들 간의 거리를 변화시킬 때 나타나는 전기적 물성의 변화를 제일원리계산으로 관찰하고 그 원인을 분석하였다.
- 본 연구에서는 단일층의 MoS2에 0 %에서 5 %까지 단축 스트레인을 가하여 그에 따른 전자 구조의 변화를 관찰하였다. 그 결과 5%의 압축 스트레인에서 MoS2의 밴드갭이 30.
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