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NTIS 바로가기한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회, 2013 May 22, 2013년, pp.762 - 765
정학기 (군산대학교 전자공학과) , 정동수 (군산대학교 전자공학과) , 이종인 (군산대학교 전자공학과) , 권오신 (군산대학교 전자공학과)
This paper analyzed the change of subthreshold current for gate oxide thickness of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the an...
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