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문제 정의
- 그러나 공정상의 어려움으로 이중게이트 MOSFET가 더욱 활발히 연구되고 있는 상황이다. 본 연구에서는 게이트 산화막 두께 변화에 따른 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류를 분석하였다. 문턱전압 전류모델은 Tiwari의 포아송방정식에 대한 해석학적 전위모델을 이용하였다[2].
- 그러므로 상단전류 # 와 하단전류 # 는 총 차단전류에서 차지하는 비율이 변화하게 된다. 본 연구에서는 이와 같이 상하단 전류의 합으로 계산되는 총 차단전류를 게이트 산화막 두께에 대하여 고찰할 것이다.
- 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 게이트 산화막 두께의 변화에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 분석하였다. 이중게이트 MOSFET의 채널 내 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용하였다.
가설 설정
- 는 각각 이온주입범위 및 분포편차를 나타낸다. n(x)는 채널 내 두께방향 즉, 깊이방향으로의 불순물원자 분포함수로서 y와 z방향으로는 일정하게 분포되며 단지 x방향으로만 변화한다고 가정하였다.식 (1) 과 식 (2)를 Tiwari의 경계조건 등을 적용하여 풀면 다음과 같은 표면전위분포를 구할 수 있다.
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