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문제 정의
- 게다가 블랙박스와도 같은 플라즈마 반응에 대한 연구가 더욱 진행될 경우 자원의 고효율적 사용은 물론, 그 응용분야도 더욱 넓어질 것으로 사료된다. 따라서 본 연구는 3차원 공간 내에서 원료분자가 어떤 과정으로 해리되고 재결합하여 나노클러스터 입자들이 생성되는지 그 나노클러스터링 현상에 대하여 연구한다. 그 중에 알킬기를 함유한 SiO2박막 (SiOCH)의 나노클러스터링현상에 관심이 집중되고 있는데, 최근 초발수막의 제작에 있어서는 많은 연구가 진행되어 그 응용에 기대되어지고 있다[2-3].
- 따라서 본 연구는 PECVD법에 있어서 분자동역학에 의한 분자의 해리, 재결합, 플라즈마 내에서 나노클러스터의 생성에 대한 연구를 하였고, 이러한 플라즈마내의 나노클러스터링 현상을 통하여 신기능성 박막의 제작을 위한 기초자료 및 설계 지침을 제시하고자 한다.
- 본 연구에서는 PE-CVD법에 의해 SiOCH계의 평탄한 박막과 나노클러스터로 구성되어있는 SiOCH 박막을 제작하고, 성막조건과 막생성의 상관관계를 해명하고자 하였다. 즉, 플라즈마 중 가장 기초적인 유기silane 분자의 전자충돌에 의한 해리과정과 SiOCH 박막의 제작과정의 분석을 통하여 그 생성 메카니즘 해명하고자 하였다.
- 본 연구에서는 PE-CVD법에 의해 SiOCH계의 평탄한 박막과 나노클러스터로 구성되어있는 SiOCH 박막을 제작하고, 성막조건과 막생성의 상관관계를 해명하고자 하였다. 즉, 플라즈마 중 가장 기초적인 유기silane 분자의 전자충돌에 의한 해리과정과 SiOCH 박막의 제작과정의 분석을 통하여 그 생성 메카니즘 해명하고자 하였다. 다양한 플라즈마원에서의 해리 과정을 해석하기 위하여 ICP(Inductively Coupling Plasma) 타입의 PECVD 시스템을 이용하였다.
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