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문제 정의
- 그러나 그래핀은 밴드갭이 없는 문제로 인해, 전기적 소자를 만들기 어렵다는 단점이 있었다. 본 연구에서는 저밀도의 질소 유도 결합 플라즈마를 이용하여 CVD-그래핀을 n형 도핑 시키고자 하였다. 플라즈마는 간편하고 대면적 처리가 가능하며, 질소 가스를 사용하여 환경 친화적인 장점을 가지고 있다.
- 이 또한 CVD-그래핀이 탄소 원자와의 완전 치환된 도핑이라기보다는 결함 부분에서 결합하여 도핑이 진행되는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로, 질소 플라즈마 처리 후 메탄 플라즈마를 통해 부족한 탄소 원자를 공급하고자 하였다. 그 결과 완전 치환된 구조인 graphitic한 모양의 질소 원자가 도핑되는 것을 확인할 수 있었다.
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