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제안 방법
- 시편 표면을 FE-SEM으로 관찰하였을 때 10 h 이후부터 박막이 형성되는 것을 확인하였으며, 다이아몬드 박막의 두께는 231 ~ 307 nm였다. Al/Diamond 기판과 기존의 Al 기판에 LED 모듈을 부착시키고, T3-Ster로 구조체의 열저항과 LED 접합온도를 측정하였다. 열저항은 기존 Al 기판(5.
- 본 문제를 해결하기 위하여 직류 바이어스 전압을 기판에 가하면서 다이아몬드를 증착하는 Bias Enhanced Nucleation(BEN) 기법을 사용하여 다이아몬드를 증착할 수 있었다. LED 모듈을 준비한 방열 기판에 실장하고 방열 특성을 평가하였다. 열유동 측정 장치인 T3-ster를 사용하여 열저항과 LED 접합온도를 시편 별로 비교 평가하였으며 열화상 카메라를 사용하여 시편의 전면과 후면의 발열 분포를 측정하였다.
- LED 모듈을 준비한 방열 기판에 실장하고 방열 특성을 평가하였다. 열유동 측정 장치인 T3-ster를 사용하여 열저항과 LED 접합온도를 시편 별로 비교 평가하였으며 열화상 카메라를 사용하여 시편의 전면과 후면의 발열 분포를 측정하였다.
- 현재 업체에서 사용되는 직경 3.5 mm 두께 1.2 mm의 Al 기판을 폴리싱을 통하여 표면 조도를 낮추어 균일하게 만들고 Al 기판을 나노 다이아몬드 분말이 분산된 에탄올에 1 시간 scratch 처리를 하여 다이아몬드가 형성될 수 있는 자리를 만들어 주고 MPCVD 방법으로 아르곤/메탄(Ar/CH4 : 200/2 sccm) 가스를 사용하여 DC 바이어스 조건에서 2 ~ 10 h로 증착시간을 변화시켜 Al/Diamond 방열기판을 제작하였다. 시편 표면을 FE-SEM으로 관찰하였을 때 10 h 이후부터 박막이 형성되는 것을 확인하였으며, 다이아몬드 박막의 두께는 231 ~ 307 nm였다.
대상 데이터
- 다이아몬드는 재료 중에서 가장 높은 열전도도를 갖고 있고 전기적으로 부도체이기 때문에 방열기판으로 기대가 되어왔다. 본 연구에서는 LED 모듈에 많이 사용되고 있는 알루미늄 방열기판을 모재로 선택하여 다이아몬드 박막을 준비하였다. 알루미늄 모재 위에서는 일반적으로 다이아몬드의 핵생성이 어려워 증착이 불가능한 것으로 알려져 왔다.
이론/모형
- 알루미늄 모재 위에서는 일반적으로 다이아몬드의 핵생성이 어려워 증착이 불가능한 것으로 알려져 왔다. 본 문제를 해결하기 위하여 직류 바이어스 전압을 기판에 가하면서 다이아몬드를 증착하는 Bias Enhanced Nucleation(BEN) 기법을 사용하여 다이아몬드를 증착할 수 있었다. LED 모듈을 준비한 방열 기판에 실장하고 방열 특성을 평가하였다.
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