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[국내논문] 삼중 프로브와 ICCD-OES를 이용한 modulated pulse plasma의 분석
Analysis of a modulated pulse plasma system by a triple probe and ICCD-OES 원문보기

한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집, 2012 Nov. 08, 2012년, pp.192 - 193  

최지성 (군산대학교 신소재공학과) ,  양원균 (한국기계연구원 재료연구소) ,  주정훈 (군산대학교 신소재공학과) ,  장동수 (서울대학교 재료공학부) ,  이정중 (서울대학교 재료공학부)

초록
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2차 플라즈마를 사용하지 않고도 스퍼터링된 입자의 높은 이온화율을 얻을 수 있는 고전력 마그네트론 스퍼터링 기술은 최대 $MW/cm^2$의 높은 투입 전력을 이용하지만 타겟 재료의 높은 열전도 요구때문에 실제로 사용할 수 있는 재료가 Cu를 비롯한 몇가지 금속에 제한된다. 수 백 $kW/cm^2$의 중간 전력 밀도를 가질 수 있도록 펄스를 다중 부분 세트로 제어하는 modulated pulse plasma 시스템을 구축하고 전자 온도, 밀도를 고속으로 계측할 수 있는 삼중 프로브와 고증폭 CCD를 이용하여 공정 진단을 한 결과 전자 온도는 최고 15.9 eV, 전자 밀도는 $4.25{\times}10^{12}{\sharp}/cm^3$였으며 weak ionization 조건과 strong ionization 조건에서 Ar I (811.5 nm)의 방출광 세기가 6배 증가하는 것으로 분석되었다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • Modulated pulse plasma는 이 두 영역의 중간 쯤에 해당하는 전이 영역에서 안정적인 동작이 가능하도록 설계된 시스템이며 pre-ionization 조건과 strong ionization 조건을 다중 펄스 세트로 구성하여 높은 자유도를 실현하였다1), 2). 본 연구에서는 실제 이런 전략이 구현되는지 플라즈마 진단 방법을 사용하여 확인하였다.
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