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[국내논문] 저온공정에서 플라즈마 변수에 의한 ZnO 박막의 결정성 연구
The crystallization characteristic of ZnO films deposition at low temperature by plasma parameters 원문보기

한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집, 2012 Nov. 08, 2012년, pp.194 - 195  

이준석 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ,  진수봉 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ,  최윤석 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ,  최인식 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소) ,  한전건 (성균관대학교 신소재공학부, 플라즈마 나노 신소재 연구소)

초록
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대향 타겟 스퍼터링법 (Facing Targets Sputtering)을 이용하여 저온 공정에서 ZnO 박막을 증착하였다. 이 실험에서 두 개의 타겟의 거리를 70nm로 고정하고 박막의 증착두께를 150nm로 정하였다. 인가전압을 변수로 하였을 경우 ZnO 박막의 방향성과 결정성을 XRD로 측정하고 분석하였고 OES로 플라즈마 진단을 하였다. 그 결과 인가전압의 증가에 따라 결정성은 증가하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 실험에서는 대향 타겟 스퍼터링법(Facing Target Sputtering)을 이용하여 RF 파워와 산소 유량의 제어에 따른 ZnO 박막의 결정화 정도를 연구하였다. 대향 타겟 스퍼터링 장치는 두 개의 타겟이 서로 마주보고 있으며, 기판이 플라즈마와 이격되어있는 형태를 취하고 있다.
  • FTS 시스템을 이용한 인가 전력과 주파수 변하에 따른 ZnO 박막의 결정성 상관관계를 연구하였다. 우선, FTS 시스템을 이용하여 저온공정에서 ZnO박막을 합성하였다.
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