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문제 정의
- 본 연구에서는 마그네트론 스퍼터 시스템에서 증착율 개선을 위한 충분한 에너지 밀도를 얻기 위해 고주파 임펄스 전원장치를 제안 하였다. 제안된 전원장치에서는 고주파 임펄스 출력부와 별도로 저압출력부를 장착하여 이온의 가속에 필요한 전계를 인가함으로써 증착율을 개선하는 방식을 제시하였다.
- 본 연구에서는 증착율 개선을 목적으로 에너지 밀도의 증가를 위한 50% Duty Cycle를 가지는 고주파 임펄스의 발생 뿐 아니라, 플라즈마 발생 후에 이온화된 양자입자가 충분히 가속할 수 있는 전계를 인가함으로 증착율을 획기적으로 개선시킬 수 있는 새로운 형태의 복합형 임펄스 전원장치를 개발하였다. 개발된 전원장치는 기존의 임펄스 전원장치와 동일하게 1500～3000V의 임펄스 전압을 인가하여 챔버내에 플라즈마를 형성시킨 후, 이온의 가속에 필요한 전계를 인가하기 위하여 별도의 600～800V 저압을 연속하여 스퍼터링 시스템에 인가하는 구조를 갖고 있다.
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