초록 ▼

1. 1차년도
o 목표 : 상용화 장치 구성 및 애로기술 연구
- 직렬결합방식에 의한 10kW 고출력 전원장치 구성
- 400kHz 고주파 출력 전원장치 고효율화(85%) 연구
- ICP Type Reactor 구조 설계 및 제작
- $1\times10^{11\sim12}[EA/cm^3]$ 고밀도 플라즈마 발생기술 연구
o 주요내용 :
- 효율적 전력분담을 위한 트랜스포머 직렬 결합 구조 설계
- 전력 간섭 최소화를 위한 토폴로지 개전방안 연구
- 범용 전력소자를

1. 1차년도
o 목표 : 상용화 장치 구성 및 애로기술 연구
- 직렬결합방식에 의한 10kW 고출력 전원장치 구성
- 400kHz 고주파 출력 전원장치 고효율화(85%) 연구
- ICP Type Reactor 구조 설계 및 제작
- $1\times10^{11\sim12}[EA/cm^3]$ 고밀도 플라즈마 발생기술 연구
o 주요내용 :
- 효율적 전력분담을 위한 트랜스포머 직렬 결합 구조 설계
- 전력 간섭 최소화를 위한 토폴로지 개전방안 연구
- 범용 전력소자를 사용한 고주파 고출력 인버터 개발
- 페라이트 코어 재질 및 형태 발굴
- 최적의 냉각구조 및 고전계 Reactor 구조 연구
- 상용화 설비를 위한 주변기기 및 설치기술 연구
- 상용화 설비 제작
2. 2차년도
o 목표 : 상용화 설치 및 보완, 적용 연구
- 안정성 확보를 위한 시스템 결합기술
- 최적 시스템 운용조건 연구
- 운용조건별 적용 및 상용화 연구
o 주요내용 :
- 고주파 전원장치 출력제어 시퀀스 연구
- 고주파 전력 검출장치 연구
- $NF_3,\;C_3F_8,\;CF_4,\;C_2F_6,\;SF_6$ 가스별 운영기술 연구
- 압력, 가스량 변경을 통한 운용결과 분석 연구
- 다양한 막질 세정기술 연구
- 상용화 설비를 위한 주변기기 제작
- 상용화 설비 제작

Abstract ▼

An investigation about a development of putting to practical use of high efficiency and high frequency power equipment for TFT-LCD.
This task is a research about 'A development of putting to practical use of high efficiency and high frequency power equipment for TFT-LCD' to adapt our po

An investigation about a development of putting to practical use of high efficiency and high frequency power equipment for TFT-LCD.
This task is a research about 'A development of putting to practical use of high efficiency and high frequency power equipment for TFT-LCD' to adapt our power industry's research and development subject 'A development of high ZVS high frequency power equipment' to practical use.
To minimize the risk of the technological adaptation and elevate the reliability of existing technology, it aims the research and development to adapt as a model the high frequency power equipment and plasma source to as a model.
An existing cleaning technology to remove coated thin films that include $SiO_2$ inside the chamber is using a direct cleaning method that generate the plasma directly in the inside of the cleaning chamber and ionize the reaction gas and clean the inside wall of the chamber through the chemical reaction with the thin films attached on the inside wall in the circumstance of rising the frequency of the process that uses plasma in semiconductor and LCD industries.
But direct cleaning method hurts the inside parts of the chamber, and it has the method that emit lots of greenhouse gas due to the low resolvent rate. So the necessity of investigation of the new adaptation method is rising.
The indirect cleaning method that makes up for these faults generate ten to hundred times elevated high density plasma compared with the existing method through plasma generator united with high density plasma source using high generate high efficiency 400kHz high frequency power equipment and ferrite core. And it cleans the thin films rapidly without any damage on the chamber, because plasma generator generates indirectly separated from the chamber.

목차 Contents

• 제 1 장 연구개발과제의 개요...11
• 제 1 절 연구개발 개요...11
• 제 2 절 연구개발 필요성...15
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황...18
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...24
• 제 1 절 연구개발 내용...24
• 제 2 절 연구개발 결과...51
• 제 3 절 위탁기관 연구개발 내용 및 결과...72
• 제 4 장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도...127
• 제 1 절 연구개발 목표 및 추진체계...127
• 제 2 절 연구개발 목표 달성도...131
• 제 3 절 기대 효과...151
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...156
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보...159
• 제 7 장 참고문헌...169