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NTIS 바로가기전력전자학회 2018년도 추계학술대회, 2018 Nov. 30, 2018년, pp.92 - 94
윤한종 (건국대학교 전력전자연구실) , 조영훈 (건국대학교 전력전자연구실)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전력변환 기기의 효율을 증가시키고 소형화, 경량화하기 위해 전력반도체 소자로 사용하는 재료는? | 최근 전력변환기기의 효율을 증가시키고 소형화, 경량화를 하기 위해 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨 나이트라이드 (GaN)등의 Wide-band gap 소재를 사용하는 전력반도체 소자의 도입이 꾸준히 증가하고 있다. 이러한 WBG의 전력 반도체를 이용하여 전력변화기기를 구성할 경우 앞서 언급한 전력변환기기의 효율 증가, 소형화, 경량화 등을 쉽게 달성할 수 있다. | |
SiC MOSFET의 장점은? | 이러한 WBG의 전력 반도체를 이용하여 전력변화기기를 구성할 경우 앞서 언급한 전력변환기기의 효율 증가, 소형화, 경량화 등을 쉽게 달성할 수 있다. 특히 그중에서 SiC MOSFET이 WBG소자 중에 가장 활발히 사용되고 있으며, SiC MOSFET은 기존 Si소자 대비 낮은 Rds, 고속스위칭이 가능하며 고온에서도 고내압의 동작이 가능하다. 하지만 시스템 보호 측면에서 Si 소자 대비 불리한 점이 있다. | |
SiC MOSFET의 경우 시스템 보호 측면에서 Si 소자 대비 불리한 점이 있는 이유는? | 하지만 시스템 보호 측면에서 Si 소자 대비 불리한 점이 있다. 이는 가장 보편적으로 사용하는 과전류 단락 검출 방식인 deSAT을 SiC MOSFET에 적용하기 어렵기 때문이다. deSAT방식은 스위치가 ON상태에서 스위치 양단 전압을 측정하여 과전류 상태를 검출하는 것인데, SiC MOSFET은 Si 소자대비 같은 전류에 비해 스위치 양단 전압이 낮고 스위치 전류가 빠르게 상승하는 특성으로 인해 deSAT 적용이 어렵다. |
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