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문제 정의
- 본 연구는 비정질실리콘 박막트랜지스터를 비휘발성 메모리소자로 제작함으로써 스위칭 소자로 사용되는 박막트랜지스터(TFT)의 응용 범위를 확대시키고, 비정질 실리콘 사용에 따라 대면적화에 적합하고 아울러 값싼 기판을 사용할 수 있게 한 비정질 실리콘 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다.
- 본 연구는 비정질실리콘 박막트랜지스터를 사용한 메모리소자에 관한 것으로, 특히 비정질실리콘을 사용하여 비휘발성 메모리 소자를 제작함으로써 스위칭소자로 사용되는 박막트랜지스터의 응용범위를 확대시키고, 비정질실리콘 사용에 따른 대면적화에 적합하고 아울러 값싼 기판을 사용할 수 있게 한 비정질실리콘 박막트랜지스터를 이용한 비휘발성 메모리소자에 관한 것이다.
- 그러나 종래의 MOSFET 타입의 비휘발성메모리 소자는 기판으로서 결정질 실리콘이 사용되므로 높은 온도공정이 사용되고 제작공정 시설 및 재료비가 비싸게 되는 문제가 있다. 본 연구의 목적은 종래의 문제점을 감안하여 저온공정이 가능하고 재료비가 싼 유리기판위에 비정질실리콘 박막트랜지스터를 사용하여 비휘발성 메모리소자를 구성하도록 함으로써 주로 스위칭 소자로 사용되어 왔던 비정질실리콘 박막트랜지스터의 응용범위를 확대시키고자 한다. 본 연구의 비정질실리콘 박막트랜지스터를 사용한 메모리소자의 구조는 유리기판위에 게이트 메탈을 증착하여 패터닝하고 그 게이트를 제1 절연층으로 덮고 그 위에 플로우팅 게이트를 증착 패터닝한 후 제2 절연층, 비정질실리콘 층 및 n+비정질실리콘층 증착시켜 패터닝한 소오스/드레인층과 그 소오스/드레인층 위에 증착시킨 소오스/드레인 전극으로 구성되어 있다.
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