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문제 정의
- 본 논문에서는 vertical channel 구조를 갖는 surrounding gate MOSFET과 double gate MOSFET을 새로운 1T DRAM cell로 제안 한다. (SGVC and DGVC Cell) SGVC와 DGVC cell 은 SOI가 아닌 bulk Si 위에 제작 가능하며 vertical channel 을 갖기 때문에 일반적인 1T DRAM cell 보다 큰 body 부피를 갖고 있어 refresh 특성에 유리한 구조이다.
- 본 논문에서는 새로운 1T DRAM cell를 제안하였고 처음으로 높은 집적도를 갖는 SGVC와 DGVC cell array 공정을 개발하였다. SGVC와 DGVC cell은 현재까지 제안 되어진 1T DRAM cell 구조 중 높은 집적도를 구현 하기에 가장 적합한 구조라고 확신한다.
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