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제안 방법
- 4 와 같은 Batch high-k ALD 설비의 exhaust hardware 개략에서 pressure controller 의 변경과, pumping 능력을 향상시키도록 hardware 를 변경하였다. Hardware 개조에 따른 chamber pressure 의 하향을 확인하기 위해 pressure controller 를 fully open 한 상태에서 N2 gas 를 flow 하여 chamber 의 압력을 비교하여 source 의 질량 전달 향상 여부를 평가하였다. 또한, 본 조건을 적용하여 유전막을 증착하여 uniformity 와 전기적 특성을 확인하였다.
- Sub-50nm 급 DRAM 제품의 OCS capacitor 구조에서 기존 batch type high-k ALD 설비로 ZrO₂유전막을 증착 할 경우 source 의 질량전달 부족으로 in wafer center 로의 source 질량 전달이 부족하여 breakdown voltage 특성 열화가 발생하였다. TEM 분석을 통하여 step Coverage 와 uniformity 저하를 확인할 수 있었고, boundary layer model 을 적용하여 gas velocity 증가를 통한 source 의 질량 전달 개선을 위하여 hardware 적인 개조를 통하여 source 의 질량 전달 개선을 평가하였다.
- Hardware 개조에 따른 chamber pressure 의 하향을 확인하기 위해 pressure controller 를 fully open 한 상태에서 N2 gas 를 flow 하여 chamber 의 압력을 비교하여 source 의 질량 전달 향상 여부를 평가하였다. 또한, 본 조건을 적용하여 유전막을 증착하여 uniformity 와 전기적 특성을 확인하였다.
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