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문제 정의
- 세정용 메가소닉에는 한번에 여러장의 웨이퍼를 세정하는 배치식과 한번에 한 장씩 세정하는 매엽식(single wafer processing type)이 있으며, 반도체의 세정기준이 강화되어감에 따라 세정 효율 제고와 균일한 세정이 가능한 매엽식이 개발되고 있는 추세이다. 이러한 배경 하에서 본 연구는 매엽식 메가소닉으로서 far field type을 개발하기 위한 연구의 일환으로 수행되었다. 일반적으로 메가소닉에 있어서는 발생하는 음압분포가 균일 하지 않고 중앙부분이 높게 나타나게 되며, 따라서 세정 대상이 손상을 입을 수 있기 때문에 반도체 등의 정밀세정에 적용하는데 문제가 되고 있다.
- 일반적으로 메가소닉에 있어서는 발생하는 음압분포가 균일 하지 않고 중앙부분이 높게 나타나게 되며, 따라서 세정 대상이 손상을 입을 수 있기 때문에 반도체 등의 정밀세정에 적용하는데 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 메가소닉에서 가장 중요한 성능인 음압분포의 균일도를 제고하기 위하여 far field와 압전소자 전극 모양을 고려하고, FEM을 이용한 음압분포 해석을 통하여 로드의 형상을 설계하였다.(1)(2)
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