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기하 광학적 Coma 성분 최적화를 통한 Photo Lithography 패턴 Contrast 향상에 관한 연구
A Study on the Contrast Improvement for Photo Lithography Pattern by Optimization of Coma Factor in Geometrical Optics 원문보기

한국정밀공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집, 2013 May 29, 2013년, pp.1267 - 1268  

이강해 (삼성전자공과대학교 반도체공정학과) ,  김종규 (삼성전자 반도체 연구소 공정개발)

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문제 정의

  • 본 논문에서는 Contact Type Pattern 을 형성하는 Photo Lithography 공정에서 Coma 성분에 의한 Fig. 1 과 같은 Ghost Pattern 발생을 확인 하고, Zernike Moments을 이용하여 Coma 성분의 수치와 Unit Circle Map 확인 및 최적화를 통하여 Pattern 의 Contrast 를 높여, Ghost Pattern 을 형성하지 않도록 개선하는 방법을 제시하고자 한다.(1)
  • 본 논문은 Coma 수차의 크기와 형태를 구하고, 그 값을 최적화 하여 Pattern Contrast 를 향상 시키는 방법을 제시하였다. Zernike Moments 를 이용하여 Coma 를 수치화하고 Unit Circle 내 Image Intensity 를 모델링 및 시뮬레이션을 진행하여 실험 전과 후의 Coma 수치 정도를 비교 하였으며, 이로부터 실제 패턴 현상 후 개선이 된 것을 최종 확인 하였다.
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