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SiC MOSFET를 적용한 3.5kW급 단상 PV 인버터 개발
Development of 3.5kW Single Phase PV Inverter using SiC MOSFET 원문보기

전력전자학회 2020년도 춘계학술대회, 2020 Aug. 18, 2020년, pp.353 - 354  

김재원 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ,  김명기 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ,  주동명 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ,  최준혁 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ,  김진홍 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)

초록
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본 논문에서는 SiC (Silicone Carbide) MOSFET 기반 Buck-Unfolder 토폴로지를 적용한 단상 태양광 인버터를 개발한다. 개발한 인버터의 성능 평가를 위해 3.5kW 급 prototype의 효율 및 전고조파 왜율(THD)을 분석한다.

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 논문에서는 가정용 3.5kW 급 태양광 발전시스템의 효율 및 전력밀도 향상을 위해 차세대 전력반도체인 SiC(Silicon Carbide) MOSFET을 적용한 DC-AC 인버터를 개발한다. 또한 소자의 비용을 고려하여 고속 SiC MOSFET 및 저속 IGBT를 적용한 토폴로지를 적용한다.
  • 본 논문에서는 전력밀도 및 효율 향상을 위해 SiC기반 전력반도체를 적용한 가정용 태양광 인버터를 설계하였다. SiC 기반 전력반도체를 적용함으로써 인버터의 전력밀도는 281.

가설 설정

  • [1] 태양광발전의 효율은 PV cell 및 전력변환장치에 의해 결정된다. 그러나 PV cell의 효율 향상에는 기술적 및 비용적 한계가 있기 때문에 전력변환장치 측면에서의 효율 향상이 필요하다.
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