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NTIS 바로가기국가/구분 | 일본특허청(JP) 공개특허 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | JP-0278647 (2004-09-27) |
공개번호 | JP-0093488 (2006-04-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power MOSFET which is reduced in an ON-state resistance per unit area without a reduction of its element breakdown voltage.SOLUTION: The power MOSFET is equipped with: two or more first MOSFET elements which serve as the unit elements and are arranged on a semicond
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