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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.9, 2014년, pp.551 - 554
정헌석 (극동대학교 태양광공학과) , 강이구 (극동대학교 태양광공학과)
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This paper was showed latch up characteristics of super junction power MOSFET by parasitic thyristor according to trench etch angle. As a result of research, if trench etch angle of super junction MOSFET is larger, we obtained large latch up voltage. When trench etch angle was 주제어
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| SJ (super junction) MOSFET이 등장한 이유는? | 하지만 기본 물질인 silicon을 기반으로 하고 있기 때문에 silicon이 아닌 다른 물질을 사용하지 않는 이상 한계 점에 도달할 수밖에 없다 [3,4]. 이 silicon의 최대 한계 지점까지 온 상태 전압강하와 항복전압과의 트레이드오프 최대치를 극복하기 위하여 제안된 구조가 SJ (super junction) MOSFET이다. 또한, 전력반도체에서는 과도 전압으로 인해 구조상 존재하는 기생 사이리스터가 동작하게 되는 래치 업 특성을 필연적으로 갖게 된다. | |
| SJ (super junction) MOSFET의 문제점은? | SJ (super junction) MOSFET 구조는 기존의 기본 power MOSFET에 super junction 구조를 추가하여 온저항을 획기적으로 낮춤으로써 현재 power 반도체의 한 시대를 이끌어나가는 구조로서 각광받고 있다. 하지만 이 super junction 구조는 공정상으로 구현이 어렵기 때문에 이에 대한 최적화 연구가 진행되고 있다 [1,2]. 현 power 반도체 시장에서는 전기적인 특성 향상을 위한 연구가 계속 진행되고 있다. | |
| SJ (super junction) MOSFET의 장점은? | SJ (super junction) MOSFET 구조는 기존의 기본 power MOSFET에 super junction 구조를 추가하여 온저항을 획기적으로 낮춤으로써 현재 power 반도체의 한 시대를 이끌어나가는 구조로서 각광받고 있다. 하지만 이 super junction 구조는 공정상으로 구현이 어렵기 때문에 이에 대한 최적화 연구가 진행되고 있다 [1,2]. |
M. A. Paul and D. J. Bates, Electronic Principles (McGraw-Hill College, 2006)
E. Gates and L. Chartrand, Introduction to Electronics, 4ed. (Delmar, 2001)
H. S. Lee, E. G. Kang, A. R. Shin, H. H. Shin, and M. Y. Sung, KIEE, 7 (2006).
W. H. Hayt, Jr., Eng. Ineer. Ingelect. Romagnetics-7ed. (McGraw-Hill, 2005)
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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