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NTIS 바로가기국가/구분 | 일본특허청(JP) 공개특허 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | JP-0284653 (2010-12-21) |
공개번호 | JP-0082557 (2011-04-21) |
우선권정보 | US-673375(2003-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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(PURPOSE)To provide the deposition of a silicon containing film from hexachlorosilane. ! There is provided a method for depositing a silicone containing film and a substrate by a low pressure deposition process in a treatment system. The silicon containing film is formed on a substrate by supplying
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