초록 ▼

[목적]양성 포토레시스트시스템,특히 높은 열안정성,광범위한 노출광선파장에 걸친 해상도 및 기질상에 영상을 만드 는데 유용한 기타 성질등을 가진 양성 포토레지스트시스템을 제공하는 것이다[구성]수성 스피닝 용매내에 용해된,(메트)아크릴산의 에스페르로부터 형성되며 다음 구조식의 글루타르이미드 단위를 5중량% 이상 함유하는 예비형성된 비교차결합성 폴리글루타르이미드 중합체를 포함하여 구성되며 수성용액으로 현상가능한 양성 포토레지스트로 구성된다.[효과]광범위한 노출방사선 특히 전자외선 파장스펙트럼에 걸쳐서 뛰어난 투명도를 가지는 양성포토레지스

[목적]양성 포토레시스트시스템,특히 높은 열안정성,광범위한 노출광선파장에 걸친 해상도 및 기질상에 영상을 만드 는데 유용한 기타 성질등을 가진 양성 포토레지스트시스템을 제공하는 것이다[구성]수성 스피닝 용매내에 용해된,(메트)아크릴산의 에스페르로부터 형성되며 다음 구조식의 글루타르이미드 단위를 5중량% 이상 함유하는 예비형성된 비교차결합성 폴리글루타르이미드 중합체를 포함하여 구성되며 수성용액으로 현상가능한 양성 포토레지스트로 구성된다.[효과]광범위한 노출방사선 특히 전자외선 파장스펙트럼에 걸쳐서 뛰어난 투명도를 가지는 양성포토레지스트시스템과 반응성 이온부식에서 망상주름짐에 저항성을 가지는 양성포토레지스트시스템이 제공되며,제조가 간단하고 스핀주조 등에 의하여 접착성의 균일한 필름의 침적에 적용되며,시간경과에 따른 물성변화에 저항적이고,수성염 기내에서 현상가능하고,표면으로부터 벗기기 쉬우며,또한 공정시간 및 경비를 증가시키지 않는 양성 포토레지스트시스템이 제공된다.

대표청구항 ▼

(메트) 아크릴산(meth acrylic acid)의 에스테르로부터 형성되고, 다음 구조식을 갖는 최소 5중량%의 그루타리미드는,여기서 R1, R2는 R3는 각각 수소 혹은 치환된 혹은 치환되지 않은 알킬, 아릴, 아릴키(aralky) 혹은 1-20개의 탄소원자를 갖는 알카릴(alkaryl) 탄화수소이며, R3 치환기의 최소 20중량%는 비수성 스핀닝용제(spinning solvent)내의 용해된 수소이며 포토레지스트는 수용액으로 현상가능한 것이다. 미리형성된 가교 결합되지 않은 포리그루타리미드 중합체를 포함하는 것을 특징으로하는

(메트) 아크릴산(meth acrylic acid)의 에스테르로부터 형성되고, 다음 구조식을 갖는 최소 5중량%의 그루타리미드는,여기서 R1, R2는 R3는 각각 수소 혹은 치환된 혹은 치환되지 않은 알킬, 아릴, 아릴키(aralky) 혹은 1-20개의 탄소원자를 갖는 알카릴(alkaryl) 탄화수소이며, R3 치환기의 최소 20중량%는 비수성 스핀닝용제(spinning solvent)내의 용해된 수소이며 포토레지스트는 수용액으로 현상가능한 것이다. 미리형성된 가교 결합되지 않은 포리그루타리미드 중합체를 포함하는 것을 특징으로하는 양성포토레지스트.