초록 ▼

본 발명은 액체 봉지 인상법(LEC)으로 갈륨 비소 단결정을 성장시킬 때 액체 봉지제의 가열 온도를 높여 액체 봉지제와 원료 용액의 온도 구배를 줄일 수 있도록 한 장치이다.종래에는 서스셉터 상부로 방출되는 열을 막을 수 없어 액체 봉지제와 원료 용액의 계면에서 온도 구배를 효과적으로 줄일 수 없었다. 따라서 도가니를 감싸고 있는 서스셉터를 소정 간격으로 상하 분리 형성하는 구조 개선이 필요하다.갈륨 비소 단결정 제조 장치는 고압 용기(1) 내부에 회전축(1)에 축착된 도가니(3)를 감싸고 있으며 상하 분리 형성되어 있는 상하 서스

본 발명은 액체 봉지 인상법(LEC)으로 갈륨 비소 단결정을 성장시킬 때 액체 봉지제의 가열 온도를 높여 액체 봉지제와 원료 용액의 온도 구배를 줄일 수 있도록 한 장치이다.종래에는 서스셉터 상부로 방출되는 열을 막을 수 없어 액체 봉지제와 원료 용액의 계면에서 온도 구배를 효과적으로 줄일 수 없었다. 따라서 도가니를 감싸고 있는 서스셉터를 소정 간격으로 상하 분리 형성하는 구조 개선이 필요하다.갈륨 비소 단결정 제조 장치는 고압 용기(1) 내부에 회전축(1)에 축착된 도가니(3)를 감싸고 있으며 상하 분리 형성되어 있는 상하 서스셉터(4a,4b),하부 서스셉터(4b)가 도가니(3) 내부의 액체 봉지제(6) 위치까지 상당하는 높이로 하여 그 이상 부분을 직접 가열하는 히터(9)로 구성된다. 여기서 상부 서스셉터(4a)는 도가니 상면을 덮게하여 액체 봉지제(6)를 히터로 집중 가열할 수 있게 하며,상부 서스셉터의 상향 내경을 좁게하여 도가니의 방열 및 카본 입자의 혼입을 방지할 수 있게 한다.

대표청구항 ▼

고압용기(1)의 내부에 회전축(2)에 축착된 도가니(3)를 감싸고 있는 서스셉터(4)가 설치되고 상기 도가니(3)의 내부에는 결정원료용액(5) 및 액체봉지제(6)가 담겨져 있으며 상기 서스셉터(4)의 주위에는 히터(9)를 설치하여서된 GaAs 단결정제조장치에 있어서 상기 도가니(3)를 감싸고 있는 서스텝터(4)를 상하부 서스텝터(4a)(4b)로 분리형성하여 하부 서스셉터(4b)가 도가니(3)의 내부의 액체봉지제(6)위치까지 상당하는 높이로 인하여 그 이상 부분은 히터(9)로 직접 가열되게함으로써 액체 봉지제(6)와 결정원료용액(5)

고압용기(1)의 내부에 회전축(2)에 축착된 도가니(3)를 감싸고 있는 서스셉터(4)가 설치되고 상기 도가니(3)의 내부에는 결정원료용액(5) 및 액체봉지제(6)가 담겨져 있으며 상기 서스셉터(4)의 주위에는 히터(9)를 설치하여서된 GaAs 단결정제조장치에 있어서 상기 도가니(3)를 감싸고 있는 서스텝터(4)를 상하부 서스텝터(4a)(4b)로 분리형성하여 하부 서스셉터(4b)가 도가니(3)의 내부의 액체봉지제(6)위치까지 상당하는 높이로 인하여 그 이상 부분은 히터(9)로 직접 가열되게함으로써 액체 봉지제(6)와 결정원료용액(5)의 계면온도구배를 낮출 수 있게 한 것을 특징으로하는 GaAs 단결정제조장치.