초록 ▼

정적 마그네트론을 포함하는 하나의 쳄버 시스템에 질소를 첨가하면서 티타늄 타켓으로부터 캐소드 스퍼터링함으로써 전도율이 높고, 접촉 저항이 낮으며, 고온 안정성을 갖는 질화 티타늄의 콘택트 및 배리어츠을 제공한다.융착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 티타늄 타켓으로부터의 캐소우드 스퍼터링에 의해 하나의 쳄버로 된 장치에 티타늄층을 기판상에 용착시키고, 용착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 질소가스 존재하에서 상기의 쳄버 내에서 질화 티타늄층을 기판상에 용착시키고, 개개의 층들을 용착시키는 사이에 기판과 용착층

정적 마그네트론을 포함하는 하나의 쳄버 시스템에 질소를 첨가하면서 티타늄 타켓으로부터 캐소드 스퍼터링함으로써 전도율이 높고, 접촉 저항이 낮으며, 고온 안정성을 갖는 질화 티타늄의 콘택트 및 배리어츠을 제공한다.융착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 티타늄 타켓으로부터의 캐소우드 스퍼터링에 의해 하나의 쳄버로 된 장치에 티타늄층을 기판상에 용착시키고, 용착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 질소가스 존재하에서 상기의 쳄버 내에서 질화 티타늄층을 기판상에 용착시키고, 개개의 층들을 용착시키는 사이에 기판과 용착층을 열처리하고; 질화 티타늄의 용착 동안에 화학 양론적 질화 티타늄을 형성하는데 필요한 값을 초과하는 값에 질소 함량을 상기 장치에 유지시키는 단계로 이루어지는 티타늄 및 질화 티타늄의 연속적인 층들을 기판상에 만드는 방법.

대표청구항 ▼

용착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 티타늄 타겟으로 부터의 캐소우드 스퍼터링에 의해 하나의 체임버로 된 장치에서 티타늄층을 기판상에 용착시키고, 용착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 질소가스 존재하에서 상기의 체임버내에서 질화티타늄층을 기판상에 용착시키고, 개개의 층들을 용착시키는 사이에 기판과 용착층을 열처리하고, 질화티타늄의 용착동안에 화학양론적 질화티타늄을 형성하는데 필요한 값을 초과하는 값에 질소함량을 상기 장치에 유지시키는 단계로 이루어지는 티타늄 및 질화티타늄의 연속적인 층들을 기판상에 만드는

용착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 티타늄 타겟으로 부터의 캐소우드 스퍼터링에 의해 하나의 체임버로 된 장치에서 티타늄층을 기판상에 용착시키고, 용착의 각각의 사이클 동안에 몇몇의 개개의 층으로 질소가스 존재하에서 상기의 체임버내에서 질화티타늄층을 기판상에 용착시키고, 개개의 층들을 용착시키는 사이에 기판과 용착층을 열처리하고, 질화티타늄의 용착동안에 화학양론적 질화티타늄을 형성하는데 필요한 값을 초과하는 값에 질소함량을 상기 장치에 유지시키는 단계로 이루어지는 티타늄 및 질화티타늄의 연속적인 층들을 기판상에 만드는 방법.