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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1988-0003350 (1988-03-26) |
공개번호 | 10-1989-0015301 (1989-10-28) |
공고번호 | 10-0081371-0000 (1994-10-18) |
등록번호 | 10-0081371-0000 (1995-01-13) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019880003350 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1990-03-14) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
이 발명은 PTC서머스터 및 히터에 사용되는 반도성 BaTiO3를 제조하는데 있어서, PTC효과와 내전압 특성을 높이기 위하여 입자 성장을 균일하게 하고, 첨가제들이 입계면에 균일하게 분포되도록 유리프리트 상태의 첨가제를 제조, 사용하는 것을 특징으로 하는 제조방법에 관한 것이다.그 제조공정은 (가) 첨가제들을 일정한 조성(Al2O3, SiO2, MgO, MnO2)의 유리프리트 분말로 제조하고, (나) PbO, BaCO3, TiO2, Sb2O3를 혼합하여 열처리하고 분쇄하여 반도성 BaTiO3 분말을 제조하여, (다) 제조된 유리프
PCT 서머스터 및 히터에 사용되는 반도성 BaTiO3를 제조하는 방법에 있어서, PCT 효과를 증대시키는 첨가제 및 내전압 특성을 증대시키는 첨가제 Al2O3, SiO2, CaO, MgO, MnO2를 혼합 분쇄하고 건조 용융시킨후 급냉하여 분말로 만들어 유리프리트로 만드는 제 1 공정과, PbO, BaCO3, TiO2, Sb2O3를 혼합, 건조하고 1120C-1200C에서 2시간 열처리한후 이를 분쇄, 건조시켜 BaTiO3를 반도체 시키는 제 2 공정과, 제 1 공정에서 얻어진 유리프리트 및 제 2 공정에서 얻어진 반도체화된 Ba
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