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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1989-0701191 (1989-06-28) |
공개번호 | 10-1989-0702260 (1989-12-23) |
국제출원번호 | PCT/JP 88/03864 (1988-10-28) |
국제공개번호 | WO 89/04064 (1989-05-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019890701191 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1993-10-20) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
제1 및 제2 박판전극 사이에 구멍들을 갖는 반도체층을 형성하므로써, 전기적 접속이 신속하고 저렴하고, 그리고 대규모로 제작될 수 있으며, 단일의 연속생산 기계에서 생산할 수 있는 광전지의 제작법을 제공한다.투명 박판전극(14)과 배면 박판전극(18) 사이에 샌드위치된 무정형 규소층(6)을 포함한다. 제3 박판전극(22)은 배면 박판전극(18)과 절연되어 있으며, 배면(18) 및 제3 박판전극(22)을 절연하는 유전층(20)을 관통하여, 절연된 구역(19)에서 투명 박판전극과 전기적 접속을 한다. 또한, 제3 박판전극(22)은 배면
제 1 및 제 2 박판 전극 사이에 샌드위치된 광기전 반도체 물질의 층을 포함하는 광전지 제조의 방법에 있어서, 방법이 반도체 물질을 통하여 제 1 박판 전극에 전기적 접속을 만들고 접속이 제 2 박판 전극과 전기적으로 절연되는 단계를 포함하고, 개량점은 ; 제 1 박판 전극을 노출시키어 제 1 박판 전극에 전기적 접속을 하게 하기 위해 제 2 박판 전극 및 반도체 물질의 층에 구멍들을 배진함을 함유하는 것.
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