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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1991-0014348 (1991-08-20) |
공개번호 | 10-1993-0005273 (1993-03-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019910014348 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-03-04) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
BSF형성시 사용되는 A1페이스트의 사용량을 줄이기 위하여 A1페이스트를 후면에 부분적으로 사용하고 나머지는 Si02인 비활성층을 형성하므로써 제조비를 감소하고 태양전지 효율을 증대시킨다.실리콘 웨이퍼(11)을 세척한 후 후면에 인의 도핑방지를 위하여 스핀 온 방법으로 Si02필름(19)을 입힌 후 일정온도에서 POC13용액을 사용하여 전면에 인을 도핑하여 nt도핑층(12)을 형성하고 전, 후면에 글래스필름(13)을 입힌다. 이어서 열처리한 후 글래스를 에칭하고 후면에는 A1(16)을 웨이퍼인 Si속에 확산시켜 pt층(15)인 BS
p형 실리콘 웨이퍼 후면에 SiO2막을 입힌후 전면에 인(P)을 도핑하고 전.후면에 Glass film을 입혀 열처리, 에칭한후 후면에 Al을 부분적으로 프린팅하고 열처리하여 BSF층(Back Surface Field)을 형성함과 동시에 상기 Al 부분 프린팅 이의 부분과 전면에 SiO2막을 입히고, 전면에 반사 방지막을 형성후 전.후면에 전극을 형성시킴을 특징으로 하는 단결정 실리콘 태양전지의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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