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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1991-0020582 (1991-11-19) |
공개번호 | 10-1993-0011315 (1993-06-24) |
공고번호 | 10-0080316-0000 (1994-08-20) |
등록번호 | 10-0080316-0000 (1994-12-12) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019910020582 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1991-11-19) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 알루미늄 페이스트를 이중으로 인쇄하여 P+층을 형성하여 태앙 전지 후면의 알루미늄 볼 문제를 해결하고 개방전압을 향상시켜 태양 전지의 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있게 한 실리콘 태양 전지 제조 방법에 관한 것으로 P-형 웨이퍼를 확산로에 넣고 인을 주입하면서 확산시켜 pn 접합을 형성하고 웨이퍼위의 산화막제거 후 탈이온수로 10분간 세척하고 산화방지막을 형성하며 상기 산화방지막이 형성된 웨이퍼의 후면에 알루미늄 페이스트를 이중으로 인쇄하여 P+층을 형성하여서 이룰 수 있다.
P+형 실리콘 기판에 n+층을 형성하여 pn 접합을 이루는 단계와, 탈이온수로 소정시간 세척후 상기 n층 위에 산화방지막을 형성하는 단계와, 알루미늄 페이스트를 스크린 인쇄한 후 레벨링 및 건조시키고 열처리하여 BSF층(p+층)을 형성하는 단계와, 전면과 후면에 은 페이스트를 스크린 인쇄한 후 레벨링 및 건조시키고 열처리하는 단계와, 상기 은을 인쇄한 웨이퍼의 전후면을 740℃에서 1분간 동시에 열처리하는 단계를 포함하여서 이루어지는 실리콘 태양 전지 제조방법.
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