[특허]반도체 장치의 전하저장전극 형성을 위한 산화막 패턴 형성 방법

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반도체 장치의 전하저장전극 형성을 위한 산화막 패턴 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/04
출원번호	10-1992-0026922 (1992-12-30)
공개번호	10-1994-0016772 (1994-07-25)
등록번호	10-0281546-0000 (2000-11-18)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019920026922
발명자 / 주소	우상호 / 경기도이천군부발읍아미리산**- 전하응 / 서울특별시성동구중곡동- 박영진 / 경기도이천군이천읍창전리성환빌라나동**호
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm) 서울 송파구 가락동 *-번지 타워 *호
심사청구여부	있음 (1997-08-30)
심사진행상태	등록결정(심사전치후)
법적상태	소멸

초록 ▼

본 발명은 종래의 HSG 에치백 후에 PSG(CVD 산화막)에치백하는 공정을 HSG 필름 두께의 1/2정도를 산화 (Oxidation)시키고, 상기 다결정 실리콘 산화막(Poly Oxide)과 아래층 CVD 산화막(Under Layer CVD Oxide)를 동시에 산화막 에치백(Oxide Etch Back)하는 공정으로 대체한 전하 저장 전극 제조 방법에 관한 것으로 반도체 기판(E) 상부에 in-situ 공정으로 인을 주입한 다결정 실리콘 박막(A)을 증착하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 다결정 실리콘 박막(A) 상부에 TEOS나 PSG중 어느 하나인 CVD산화막(B)을 증작하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 상기 CVD산화막(B) 상부에 반구형 다결정 실리콘(HSG) (C)을 증착하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 상기 HSG(C)의 일부분이 남도록(C1) 산화(D)시키는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 상기 산화된 D층과 아래층의 CVD 산호막층을 동시에 건식 식각하는 제 5 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

전하 저장 전극 제조 방법에 있어서, 반도체 기판(E) 상부에 in-situ 공정으로 인을 주입한 다결정 실리콘 박막 (A)을 증착하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 다결정 실리콘 박막(A) 상부에 TEOS나 PSG중 어느 하나의 CVD산화막(B)을 증가하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 상기 CVD산화막(B) 상부에 반구형 다결정 실리콘(HSG) (C)을 증착하는 제 3 단계, 상기 제 3단계 후에 상기 HSG(C)의 일부분이 남도록(C1) 산화(D)시키는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 상기 산화된 D층

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

[미국] Method for manufacturing capacitor of highly integrated semiconductor memory device | Ahn Ji-hong (Seoul KRX)
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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