초록 ▼

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 고농도의 n형 불순물이 도핑된 다수의 비정질실리콘막과 불순물이 도핑되지 않은 다수의 비정질실리콘막을 주기적으로 형성하고 일정온도에서 일정시간 동안에 열공정을 실시하여 상기 불순물을 활성화시키는 동시에 상기 비정질실리콘을 다결정실리콘으로 천이시킨 다음, 상기 도핑된 층과 도핑되지 않은 층이 형성하는 측벽에 요철을 형성한 다음, 고온열공정으로 상기 불순물을 도핑되지 않은 다결정실리콘막까지 확산시켜 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 고농도의 n형 불순물이 도핑된 다수의 비정질실리콘막과 불순물이 도핑되지 않은 다수의 비정질실리콘막을 주기적으로 형성하고 일정온도에서 일정시간 동안에 열공정을 실시하여 상기 불순물을 활성화시키는 동시에 상기 비정질실리콘을 다결정실리콘으로 천이시킨 다음, 상기 도핑된 층과 도핑되지 않은 층이 형성하는 측벽에 요철을 형성한 다음, 고온열공정으로 상기 불순물을 도핑되지 않은 다결정실리콘막까지 확산시켜 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 고집적화에 충분한 정전용량을 가지는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 생산성을 향상시키고 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하며 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.

대표청구항 ▼

반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기관 상부에 불순물 도핑된 다수의 제1도전층과 불순물이 도핑되지 않은 다수의 제2도전층을 주기적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 다수의 제2도전층과 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 제1도전층을 활성화시키는 공정과, 상기 제1도전층을 측면식각하여 요철형상을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층의 불순물을 상기 제2도전층에 확산시켜 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체

반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기관 상부에 불순물 도핑된 다수의 제1도전층과 불순물이 도핑되지 않은 다수의 제2도전층을 주기적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 다수의 제2도전층과 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 제1도전층을 활성화시키는 공정과, 상기 제1도전층을 측면식각하여 요철형상을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층의 불순물을 상기 제2도전층에 확산시켜 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.